省科技厅近日组织相关专家组成验收组，对河北同光晶体有限公司承担的河北省科技计划项目“直径2-4英寸高品质碳化硅单晶研发”进行了验收。与会专家听取了项目组所做的工作报告、技术报告，审阅了相关验收材料，考察了生产现场，经质疑答辩和认真讨论，一致同意该项目通过验收。

    碳化硅作为第三代半导体材料，具有耐高压、耐高温等特性，未来将会很大程度替代现在通用的第一代半导体材料——硅。目前同光公司已建成具有国内先进水平的碳化硅单晶片生产线，在制备过程中，对籽晶安装缓冲装置进行了改造优化，降低了单晶开裂的风险和六方空洞缺陷密度，通过引入特种气体和对加热元件的优化，实现了碳化硅气氛的比例优化，降低了晶体生长对环境变化的敏感程度，经中科院半导体所检测，碳化硅单晶各项指标达到任务书要求。

    该项目实施期间，针对设备、热场、工艺等核心领域进行专利申请，目前已获得授权国内发明专利4项，实用新型专利28项，制定企业标准1项。该项目的验收通过标志着我市第三代半导体材料的制备又有了新的突破，为打造新的经济增长极提供了有利条件。